海力士搶先展示UFS 4.1閃存:基于V9 TLC NAND顆粒打造
來源:快科技 編輯:非小米 時間:2024-08-09 13:30人閱讀
快科技8月9日消息,在FMS 2024峰會上,SK海力士展示了其最新的存儲產(chǎn)品,包括尚未正式發(fā)布規(guī)范的UFS 4.1通用閃存。
據(jù)JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會官網(wǎng)信息,目前公布的最新UFS規(guī)范是2022年8月的UFS 4.0,其理論接口速度高達46.4Gbps,預計UFS 4.1將在傳輸速率上實現(xiàn)進一步的提升。
海力士此次展示了兩款UFS 4.1通用閃存產(chǎn)品,容量分別為512GB和1TB,均基于321層堆疊的V9 1Tb TLC NAND閃存。
此外,SK海力士還首次展出了容量業(yè)界領(lǐng)先的3.2Gbps V9 2Tb QLC以及3.6Gbps高速V9H 1Tb TLC顆粒。
此外,海力士還展出了可提升數(shù)據(jù)管理效率的ZUFS(分區(qū)UFS,Zoned UFS)樣品,這些產(chǎn)品基于V7 512Gb TLC NAND,提供512GB和1TB兩種容量。ZUFS 4.0產(chǎn)品預計將于今年第三季度進入量產(chǎn)階段。
隨著UFS 4.1通用閃存的推出,預計將進一步推動智能手機和移動設備性能的提升。
分享到:
本站所有文章、數(shù)據(jù)、圖片均來自互聯(lián)網(wǎng),一切版權(quán)均歸源網(wǎng)站或源作者所有。
如果侵犯了你的權(quán)益請來信告知我們刪除。郵箱:business@qudong.com




