近日，在2025年國際電子器件大會（IEDM）上，長鑫科技（CXMT）以兩項關于3D FeRAM（鐵電存儲器）和新型多層堆疊DRAM的突破性研究，向全球展示了其在前沿存儲技術領域的強大創新與研發實力，成為本屆IEDM上入選論文數量最多的中國企業。

雙線攻堅，兩大前沿技術突破業界難題

長鑫科技此次披露的兩項技術成果，精準切入下一代存儲技術的核心挑戰，均實現“從0到1”的關鍵突破。長鑫科技首次實現單片集成的堆疊式鐵電存儲（3D FeRAM），這一突破為解決傳統存儲器功耗高、速度慢的痛點提供新路徑，尤其適配物聯網、移動邊緣計算等對功耗敏感的場景。

而在 DRAM 架構方面，長鑫科技更是亮出“全球首個”BEOL集成的多層DRAM架構，并通過IGZO（氧化銦鎵鋅）溝道晶體管完成實驗驗證。該技術是后摩爾時代提升DRAM存儲密度的關鍵方向，標志著國產存儲在該領域已邁入全球第一梯隊。

長鑫科技主要生產的DRAM作為系統內存，需實現高速讀寫與數據保持功能，其工藝對精度要求極高。而NAND主要用于數據存儲，斷電后數據仍可保留，技術難度明顯低于DRAM。長鑫科技在DRAM領域深耕多年，在國內本就具備極強的技術護城河，兩項新技術研究在國際學術舞臺獲得認可，將進一步拉開與存儲產業內其他廠商的競爭優勢，通過技術硬實力鎖定未來競爭力。

專利筑墻，深厚布局構建技術護城河

亮眼技術背后，是長鑫科技長期深耕研發的投入與專利壁壘的持續構建。在集微咨詢此前發布的《2024年中國大陸半導體制造企業專利榜單》中，長鑫科技就以累計13449項專利位列第二，彰顯出在國內半導體制造領域的專利硬實力。

這些專利不僅是企業技術功底的直接證明，更構筑起抵御國際競爭的護城河。而強大的技術產出，離不開核心人才團隊的支撐，據了解，長鑫科技研發技術人員占比遠超同業，年輕化、專業化的人才結構更是為其技術突破與專利布局注入了持久活力。

技術加持全維度競爭力，長鑫科技或開啟“國產存儲芯片的黃金時代”

根據公司官網及接近人士透露的信息，其目前已商業化量產的產品以DDR、LPDDR系列內存芯片及模組為主，并已成功應用于小米、傳音等國內主流智能手機品牌機型中，其中LPDDR5系列更是其面向主流移動終端市場的關鍵產品。

從成熟產品迭代到前沿技術突破，長鑫科技已形成全維度競爭力，為其發展注入強勁動力。作為高技術密集型企業的核心代表，業內普遍認為，長鑫科技在技術創新方面的不斷積累，尤其是面向未來技術的提前布局，將有效轉化為可進一步拉開競爭差距的顯著優勢，并依托其IDM的“鏈主企業”地位引領產業開啟“國產存儲的黃金時代”。