當前全球半導體產業正經歷一場由存儲芯片價格波動引發的深刻變革。小米創始人雷軍近期坦言“內存漲價實在太多”,這一表述成為當前行業現狀的生動寫照。在消費端明顯感受到價格壓力的同時,處于產業鏈中游的晶圓代工企業,正在面臨更為復雜的產業生態變化。

高產能與保守預期的反差:存儲漲價的直接沖擊

中芯國際最新財報顯示,其產能利用率達到95.8%,營收實現環比增長7.8%,展現出強勁的短期表現,這一表現得益于國產供應鏈的持續調整與客戶庫存回補需求的共同作用。

然而,與高位運行的產能形成對比的是,公司對四季度的業績指引趨于保守。這種“高產能”與“低預期”的反差,引發業內對存儲漲價潮影響的深入討論。在中芯國際的最新業績說明會上,聯合首席執行官趙海軍深入剖析了存儲超級周期對邏輯代工的復雜影響,他指出,這種影響猶如雙刃劍:一端是供應鏈因無法順暢配套而承壓,另一端則是成本壓力自下而上的層層傳導與擠壓。

這種現狀并非個例。存儲市場價格波動對邏輯代工環節的影響,正在成為一個行業性議題。

協同發展與風險共振:存儲短缺引發產業鏈“木桶效應”

在現代電子產業體系中,“計算-存儲-連接”三大要素的協同性顯著增強。這種趨勢使得單一環節的波動更容易產生連鎖反應,關鍵芯片的供應緊張可能會對整個產業系統產生深遠影響。

趙海軍指出,若終端廠商無法確保DRAM和NAND等“關鍵物料”的穩定供應,便會隨之削減對電源管理芯片(PMIC)、圖像傳感器(CIS)等配套邏輯芯片的采購——存儲的短缺,正直接制約邏輯芯片的市場需求。

另一方面,存儲成本的飆升也在重塑產業鏈的利潤分配。終端產品價格難以同步上漲,迫使終端廠商將成本壓力向上游轉移。這股壓力沿“終端設備—芯片設計—晶圓代工”的路徑傳導,即便代工廠產能滿載,其毛利率空間依然遭受嚴峻挑戰。

低壁壘NAND或成邏輯代工廠“跨界”首選賽道

面對這一系統性難題,市場對晶圓代工企業的應對策略保持關注。其中,向技術協同性更高的存儲領域進行業務延伸,成為一個備受討論的方向。在各類存儲芯片中,NAND Flash,尤其是中低層數的3D NAND,被普遍視為技術門檻相對更低的潛在切入點。

從技術路徑看,DRAM制造結構復雜,依賴于精密的電容結構,工藝尺寸微縮難度高,核心技術長期被少數國際廠商壟斷,形成了較高的行業壁壘。而3D NAND制造的核心工藝環節與邏輯芯片先進制程存在相當程度的重疊,其技術關鍵在于將大量存儲單元沿垂直方向重復堆疊,其依賴的刻蝕、薄膜沉積等關鍵工藝,與邏輯芯片先進制程的底層技術同源,這為代工企業跨界嘗試降低了初始門檻。

布局NAND對代工企業而言,既能打造“一站式”芯片解決方案,鎖定核心客戶;又能借助與邏輯芯片的周期差,抵御市場波動。但從長遠看,NAND在AI算力中的定位與HBM等核心品類存在差異。它更像是解決“近渴”的短期平衡方案,而非滿足“遠水”的長期算力答案,難以像DRAM那樣,成為驅動AI算力海量增長的核心驅動力。

產業分工模式的演進:從專業代工到綜合平臺

當前存儲與邏輯市場之間的深度互動,反映出電子產業鏈各環節關聯度的顯著提升。這種變化正在促使業界對傳統垂直分工模式進行新的思考。

一種演進趨勢正在被討論:未來的頭部制造平臺,或需具備多品類芯片的制造能力,從“專業代工”向“綜合型制造平臺”轉型。這種模式能夠提供系統級的優化與保障,更好地適應電子系統高度集成化的需求。然而,這條路徑也伴隨著巨大的資本開支、專利壁壘與戰略資源分配等挑戰,需要企業審慎權衡。

存儲漲價潮揭示的,遠不止于短期的價格波動,而是產業深度融合背景下對傳統分工模式的一次壓力測試。中芯國際的業績反差與趙海軍的警示,共同勾勒出這一挑戰的緊迫性。向NAND領域的跨界探索,雖非定論,卻也指向了一個趨勢:未來的芯片制造競爭,不僅是制程節點的競賽,更是供應鏈協同能力與產業生態整合深度的較量。