快科技12月14日消息，據媒體報道，在近日的IEEE國際電子元件會議上，臺積電表示已經全面展開1.4nm級工藝制程研發，預計將于2027-2028年之間量產，并將命名為A14。

臺積電還表示，在3nm制程工藝量產后就開始研發2nm制程工藝，計劃在2025年正式量產2nm工藝，N2P制程工藝也將在2026年年底量產。

在技術方面臺積電并沒有透露具體會使用何種技術，但報道表示A14節點不太可能采用垂直堆疊互補場效應晶體管（CFET）技術。

因此A14可能將像N2節點一樣，依賴于臺積電第二代或第三代環繞柵極場效應晶體管（GAAFET）技術，不過臺積電仍在探索CFET技術。

同時A14和N2節點類似，都需要系統協同優化，才能真正發揮作用，并實現新的性能和功耗水平。

此外，目前也不清楚臺積電是否計劃為A14制程采用High-NA EUV光刻技術，考慮到屆時英特爾將采用和完善孔徑為0.55的EUV光刻機，臺積電使用這些機器應該還是比較容易。

當然，目前的這些還都只是計劃，可能還會有很多變化，因此現在還不能做出太多假設。