目前用上3nm工藝的只有蘋果的A17 PRO芯片，并且隨著臺(tái)積電積極擴(kuò)大3nm制程工藝的產(chǎn)能，代工龍頭將在明年全面鋪開N3E工藝，更先進(jìn)的工藝在產(chǎn)能和成本上進(jìn)一步取得突破。

不過臺(tái)積電的野心遠(yuǎn)不止于此，據(jù)外媒tomshardware報(bào)道，晶圓代工大廠臺(tái)積電在IEDM大會(huì)上分享了其最新的Roadmap，計(jì)劃在2030年推出1nm級(jí)的A10制程，實(shí)現(xiàn)單個(gè)芯片上集成200億個(gè)晶體管，并依托于先進(jìn)封裝技術(shù)，實(shí)現(xiàn)單個(gè)封裝上集成1萬億個(gè)晶體管的目標(biāo)。

具體來說，根據(jù)臺(tái)積電的計(jì)劃，首先會(huì)在2025年量產(chǎn)2nm級(jí)的N2制程，2026年左右量產(chǎn)N2P制程，屆時(shí)將會(huì)采用新的通道材料、EUV、金屬氧化物ESL、自對(duì)齊線w/Flexible Space、低損傷/硬化Low-K&新型銅填充等技術(shù)。

將實(shí)現(xiàn)單顆芯片集成超過1000億個(gè)晶體管，同時(shí)借助先進(jìn)的3D封裝技術(shù)，實(shí)現(xiàn)單個(gè)封裝集成超過5000個(gè)晶體管。

在2027年之后，臺(tái)積電還將量產(chǎn)1.4nm級(jí)的A14制程，2030年將量產(chǎn)1nm級(jí)的A10制程，實(shí)現(xiàn)單芯片集成超過2000億個(gè)晶體管，借助3D封裝技術(shù)，實(shí)現(xiàn)單個(gè)封裝內(nèi)集成超過1萬億個(gè)晶體管。

至于隔壁的三星，在去年實(shí)現(xiàn)第一代3nm制程工藝3nm GAA的量產(chǎn)，并且有消息稱，三星將在2024年量產(chǎn)MBCFET架構(gòu)的第二代3nm工藝3GAP，在原有的SF3E基礎(chǔ)上做進(jìn)一步的優(yōu)化，之后還會(huì)有性能增強(qiáng)型的SF3P（3GAP+），更適合制造高性能芯片。

光有3nm還不夠，三星希望能搶先一步臺(tái)積電實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)2nm，以速度壓倒對(duì)方，從而在新一代制程節(jié)點(diǎn)上獲得競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。目前臺(tái)積電和三星已經(jīng)開始了2nm工藝的研發(fā)和競(jìng)爭(zhēng)，雙方都計(jì)劃在2025年開始量產(chǎn)2nm工藝芯片。

但是兩家的工藝技術(shù)并不相同，臺(tái)積電的2nm工藝將繼續(xù)使用FinFET晶體管結(jié)構(gòu)，但采用了新的Nanowire技術(shù)，可以進(jìn)一步縮小晶體管的尺寸和間距。三星的2nm工藝將沿用GAA晶體管結(jié)構(gòu)，但采用了新的MBCFET技術(shù)，可以提高晶體管的性能和穩(wěn)定性。

總的來說，臺(tái)積電的技術(shù)還是要優(yōu)于三星的技術(shù)，至于國(guó)產(chǎn)芯片嘛，在制程上與國(guó)際差距還比較大，但在其他方面也有不少優(yōu)勢(shì)和潛力。我們還需要堅(jiān)持研發(fā)，不斷提升芯片的良率與工藝，才能不斷縮短與國(guó)外先進(jìn)技術(shù)的差距，甚至超越它們。