快科技4月9日消息，昨晚上汽智己L6新車發(fā)布，由于工作人員疏忽，在對(duì)比小米SU7項(xiàng)目中，錯(cuò)誤將小米SU7前電機(jī)標(biāo)注為前LCBT，后SiC，這引起了小米方面強(qiáng)烈不滿，三連發(fā)文要求致歉。

后智己CEO劉濤、智己汽車官方連夜發(fā)布道歉，然而致歉函內(nèi)也有錯(cuò)誤，被小米汽車產(chǎn)品經(jīng)理指出。

在公開致歉中，無論是劉濤還是智己汽車，都提到小米SU7 Max版前后電機(jī)均采用SIC碳化硅模塊，與智己L6所采用的的技術(shù)一致，均為行業(yè)頂尖技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)。

原版致歉函

然而這里面有個(gè)書寫錯(cuò)誤，也就是SIC，正確的應(yīng)該為SiC，今日上午，小米汽車產(chǎn)品經(jīng)理“潘曉曉曉曉曉曉曉雯”特意發(fā)布微博進(jìn)行了科普，其表示：碳化硅怎么寫：SiC，請學(xué)習(xí)并尊重技術(shù)。

我們常說的IGBT/SiC是指代電驅(qū)控制器中的功率模塊，是由一到多組功率芯片并聯(lián)組成的開關(guān)電路，有以Si為材料IGBT構(gòu)型的芯片，有以SiC為材料MOSFET為構(gòu)型的芯片（對(duì)，IGBT是構(gòu)型，SiC是指芯片材料）。

功率模塊負(fù)責(zé)將電池的直流電轉(zhuǎn)化為交流電驅(qū)動(dòng)電機(jī)，重要程度可想而知，SiC MOSFET相比Si IGBT幾乎沒有開關(guān)損耗。

因?yàn)镾iC的制造工藝難度高，得片率、良品率低，導(dǎo)致SiC相比于Si，價(jià)格還在2～5倍。

這個(gè)配置非常昂貴，我們天天拉著工程師拆解技術(shù)，只有對(duì)它的原理、作用、發(fā)展趨勢都要了解，才能做出正確的取舍。

被批評(píng)之后，無論是劉濤還是智己汽車官方，均已修改了相關(guān)說辭，更改了書寫錯(cuò)誤。